Technologie přípravy experimentálních vzorků - mikrosenzory
Obrázky lze zvětšit kliknutím na jejich plochu.
Technologie mikrosenzorů na substrátu Si
.
Nezaleptávané struktury
Struktury pro měření elektrického odporu kontaktů a tenzometrických drah:
vlevo - celá matice,
vpravo - detail struktur:
Mikrosenzorová struktura "A1":
vlevo - matice struktur,
vpravo -
detail jednoho čipu (s naříznutým, ale ještě neodlomeným
okrajem; šířka řezu je 60 µm , jeho hloubka cca 250 µm):
Mikrosenzorová struktura "A2":
vlevo - matice struktur,
vpravo - detail jednoho čipu:
Mikrosenzorová struktura "A3":
vlevo - matice struktur (struktury v horních dvou řadách mají přezlacené propojky),
vpravo - detail jednoho čipu:
Mikrosenzorová struktura "B":
vlevo - matice struktur (v horních dvou řadách mají struktury přezlacené propoje,
odkrytá jsou pouze tenzometrická vlákna),
vpravo - detail jedné struktury:
Mikrosenzorová struktura "C" (polomůstek):
vlevo - matice struktur (v pravých dvou sloupcích mají struktury přezlacené propoje),
vpravo - detail jedné struktury:
Zaleptané struktury
Rozpracovaná křemíková deska (průměr 4"):
vlevo
- lícová strana s maticí mikrosenzorů,
vpravo
- rubová strana lokálně ztenčená zaleptáním:
Nosníková struktura "D":
vlevo - matice struktur (oddělených řezy, ale ještě nerozčleněných),
vpravo - detail jednoho čipu:
Nosníková struktura "E" (otevřený můstek):
vlevo - ještě nerozčleněná dvojice struktur (horní systém má přezlacené
propoje, odkrytá jsou pouze tenzometrická vlákna),
vpravo - detail jednoho čipu:
Mikrosenzorová struktura "F" (dva polomůstky):
vlevo - dvojice mikrostruktur na Si desce (horní struktura má
přezlacené propoje),
vpravo - individuální čipy
(dole lícová strana, nahoře zaleptaná
rubová strana - detail zaleptání zde):
Mikrosenzorová struktura "G" (uzavřený můstek):
vlevo - dvojice nerozčleněných struktur (horní má přezlacené propoje),
vpravo - detail jedné struktury:
Membránové struktury
Rozpracovaná křemíková deska (průměr 4"):
vlevo
- lícová strana s maticí mikrosenzorů,
vpravo
- rubová strana lokálně ztenčená zaleptáním:
Membránová struktura s otevřeným můstkem:
vlevo - detail struktury (s přezlacenými propoji) na křemíkové desce,
vpravo -
táž struktura (čtvercový čip o straně 5 mm), bílým čtvercem (o straně
3 mm) je vyznačena velikost a poloha oblasti zaleptané z rubové strany (v ní je
tloušťka Si membrány 100 µm, nezaleptané části čipu mají tloušťku 550 µm):
Membránová struktura s uzavřeným můstkem:
vlevo - detail struktury na Si desce,
vpravo -
táž struktura, bílým čtvercem je vyznačen obrys oblasti
zaleptané z rubové strany (rozměry a tloušťka oblasti stejné jako u předchozího
typu membránového mikrosystému):
Vlevo - Rozřezané membránové čipy:
nahoře - lícová strana,
dole - rubová (zaleptaná) strana:
vpravo - pohled na rohovou část boční stěny zaleptané oblasti
(ve směru průsečnice rovin dna oblasti a její sousední boční stěny); stěny
svírají se dnem úhel zhruba 120 stupňů:
Vlevo - součásti pouzdra membránového senzoru:
střed - vlevo nahoře - osmivývodová patice,
po stranách - simaxové kroužky,
vpředu - membránové čipy ,
vpravo - smontované membránové čipy:
vpředu - čip na simaxovém kroužku,
vzadu - čipy v paticích :
Vlevo - kontaktované vývody membránového mikrosenzoru na bázi NiCr : vzhledem k tenké
vrstvě Au (0,3 µm) je použita ultrazvuková komprese AlSi mikrodrátků (průměru
30 µm) - sváry na kolících patice i na čipu jsou pojištěny elektricky vodivou epoxidovou
hmotou Epotek H31 (levý kontakt ve dvojici je ve stavu před nanesením hmoty, pravý kontakt je
již upraven),
vpravo - nakontaktovaný mikrosenzor v osmivývodové patici:
Změřené vlastnosti mikrosenzorů připravených naprášením tenzometrické
vrstvy na elektricky izolovaný povrch křemíkového substrátu
zde.
Aktualizace: 23.12.2005
english
