Programovatelná řídicí jednotka.
Čištěný vzduch je rozváděn do jednotlivých místností, kde prochází koncovými
filtry (jeho základní čistota pak odpovídá zhruba třídě 10000). Pomocí
bezprašných boxů s laminárním prouděním je tento vzduch čištěn dále (na
pracovišti sekce litografie monolitických struktur se tak dosahuje jeho
výsledné čistoty blížící se třídě 100).
Čistička na principu reverzní osmózy.
Deionizační a filtrační jednotka.
Popis systému přípravy a oběhu DI vody.

Standardní plasmová leptací aparatura barelového typu.
Užívá se přednostně pro začišťování rezistových masek a pro spalování rezistů
v kyslíkové plazmě.
Laboratorní plazmová leptačka s planární konfigurací elektrod.
Užívá se pro suché leptání izolačních vrstev (oxidů a nitridů křemíku).

Experimentální leptací aparatura pro reaktivní iontové leptání
(RIE).

Vakuové depoziční a leptací zařízení.
Popis zařízení.

Čistá zóna pro depozici a zpracování rezistových vrstev.

Pracoviště pro nanášení a zpracování rezistových vrstev.

Čistá zóna pro sesazovací expoziční zařízení.

Kontaktní sesazovací a expoziční zařízení (s mikroskopem s
děleným polem).

Projekční (krokovací: DSW - Direct Step on Wafer) expoziční zařízení.

Sesazovací a expoziční zařízení pro malé masky (se standardním
mikroskopem).

Pracoviště optické kontroly (v prostoru litografie monolitických
struktur).
Optický reflektometr a měřič odporu čtyřbodovou metodou.

Zařízení pro montáž a pro výstupní optickou kontrolu
(čipový mikromanipulátor,
mikroskop LEITZ Ergolux/ICR,
projekční
inspekční mikroskop, mikrodrátková kontaktovací zařízení).