Rezonanční Tunelové Diody
(RTD)
MBE - litografie - FZÚ AV ČR odd.15
Detaily a popisy V-A charakteristik jsou zřejmé po zvětšení grafů (kliknutím na jejich plochu).
MBE-388: 77K
bariéry GaAlAs
| Vpravo: V-A charakteristika při obou polaritách přiložených na strukturu RTD
(křivky ve I. resp. III. kvadrantu). V obou těchto případech se projevuje hystereze v oblasti
vertikálních přeskoků (průběh při růstu - modrá křivka, při poklesu napětí
- červená křivka). Odlišnosti v průběhu obou charakteristik jsou způsobeny nesymetrií v
uspořádání heterostruktury: |
|
|
|
MBE-413: 77 K
bariéry GaAlAs (polarita +/-)
Vlevo: hystereze v okolí oblastí NDR (průběh při: růstu - modrá
křivka, poklesu napětí - červená křivka),
vpravo: detail oblasti vertikálního přeskoku mezi větvemi charakteristik:
|
|
MBE-434: 77 K
bariéry AlAs (defektní ohmické kontakty)
Oblast NDR posunuta k vyšším napětím v důsledku úbytku napětí
(především na kontaktu "M"):
|
|
MBE-438: 300 K
bariéry AlAs
Struktura při 300 K (technologie
"DUO": plocha mesy = ploše "M" kontaktu = 100x100 [µm2]):
|
|
|
|
Vpravo: Průběh V-A charakteristiky v oblasti NDR (vertikálního
přeskoku) při 77K (klasická technologie, jiný vzorek s plochou mesy ~340x140 [µm2] a
"M"kontaktu 100x100 [µm2]), vlevo: zvětšené drobnější oblasti NDR z téže charakteristiky. |
|
| Vpravo a další řady: Teplotní změny průběhu V-A charakteristik. Vzrůstající čísla křivek odpovídají postupnému ohřevu od 77K (č.1) k pokojové teplotě (č.28): |
|
|
| V teplotní oblasti odpovídající křivce č.10 se mění charakter oblasti NDR z vertikálního přeskoku na strukturovaný průběh: |
|
|
| Strukturované průběhy v oblasti NDR (křivky 13-15): |
|
|
| Struktura charakteristiky v oblasti NDR se vytrácí s přibližováním k pokojové teplotě (křivka č.28): |
|