Rezonanční Tunelové Diody  (RTD)


MBE - litografie - FZÚ AV ČR odd.15



Schematický řez strukturou čipu RTD
(podle interní zprávy doc.J.Vovsa et al. s autorovým laskavým svolením).
Schemata lze zvětšit kliknutím na jejich plochu.
Vlevo - "klasická" technologie,   vpravo - technologie "DUO":

RTD-klasická technologie   RTD-technologie DUO




 

Parametry heterostruktur RTD:


        RTD STRUKTURY            
          ( údaje v nm)            
                       
Struktura     č. 386 č. 387 č. 388 č. 401 č. 403 č. 404 č. 405 č. 410 č. 412
GaAs cap     20 20 20 20 20 20 20 20 20
GaAs:Si N+   200 170 100 100 100 100 100 100 100
GaAs:Si N+ N - 30 30 33 30 50 50 37 33
GaAs:Si N   - 170 100 100 100 100 100 100 100
GaAs     10 10 10 10 10 10 10 10 10
AlGaAs     5,1 5,1 7,1 3,4 3,4 AlAs 1.7 AlAs 1.7 7,1 7,1
GaAs     5,1 5,1 7,1 7,1 9,9 5,1 7,1 7,1 7,1
AlGaAs     5,1 5,1 7,1 3,4 3,4 AlAs 1.7 AlAs 1.7 7,1 7,1
GaAs     10 10 10 10 10 10 10 10 10
GaAs:Si N   - 170 100 100 100 100 100 100 100
GaAs:Si N N+ - 30 30 33 30 50 50 37 33
GaAs:Si N+   600 500 500 500 500 500 500 500 500
GaAs buffer     300 240 500 850 410 650 500 440 400
S.I. Substrát     Cr-dot. Cr-dot. Cr-dot. Cr-dot. Cr-dot. Nedot. Nedot. Nedot. Nedot.
                       
Složení ternáru x=     0,41 0,405 0,405 0,403 0,405 1 1 0,389 0,406
                       
N 1,00E+17                    
N+ 1,00E+18                    
                       
PL - QW 4 K :   N N Y N N N N Y low Int. Y
  300 K :                    
                       
Hladiny pod vrcholem     0,085 0,085 0,203 0,203 0,13 0,166 0,041 0,203 0,203

 

        RTD STRUKTURY             
          ( údaje v nm)            
                       
Struktura     č. 413 č. 414 č. 421 č. 423 č. 424 č. 425 č. 427 č. 430 č. 433
GaAs cap     20 20 20 20 20 20 20 - -
GaAs:Si N+   100 100 100 100 100 100 100 100 100
GaAs:Si N+ N 33 36 35 35 36 35 35 35 36
GaAs:Si N   100 100 100 100 100 100 100 100 100
GaAs     10 10 10 10 10 10 10 10 10
AlGaAs     7,1 9,9 13 15 AlAs 9.9 AlAs 9.0 AlAs 11 AlAs 7.9 AlAs 6.5
GaAs     9,9 9,9 9,9 9,9 9,9 9,9 9,9 12 9,9
AlGaAs     7,1 9,9 13 15 AlAs 9.9 AlAs 9.0 AlAs 11 AlAs 7.9 AlAs 6.5
GaAs     10 10 10 10 10 10 10 10 10
GaAs:Si N   100 100 100 100 100 100 100 100 100
GaAs:Si N N+ 33 36 35 35 36 35 35 35 36
GaAs:Si N+   500 500 500 500 500 500 500 500 500
GaAs buffer     310 330 210 250 220 230 320 450 300
S.I. Substrát     Nedot. Nedot. Nedot. Nedot. Nedot. Nedot. Nedot. Nedot. Nedot.
                       
Složení ternáru x=     0,395 0,402 0,39 0,38 1 1 1 1 1
                       
N 1,00E+17                    
N+ 1,00E+18                    
                       
PL - QW 4 K :   YY Y     YYY Y YYY    
  300 K :     Y Y Y YY NO   YYY Y
                       
Hladiny pod vrcholem     0,13 0,13              

 

    RTD STRUKTURY       
      ( údaje v nm)       
             
Struktura     č. 434 č. 436 č. 437 č. 438
GaAs cap     - - - -
GaAs:Si N+   100 100 100 100
GaAs:Si N+ N 36 60 55 60
GaAs:Si N   100 100 100 100
GaAs     10 10 10 10
AlGaAs     AlAs 5.1 4,5 AlAs 5.1 AlAs 3.4
GaAs     9,9 9,9 7,1 5,9
AlGaAs     AlAs 5.1 4,5 AlAs 5.1 AlAs 3.4
GaAs     10 10 10 10
GaAs:Si N   100 100 100 100
GaAs:Si N N+ 36 60 55 60
GaAs:Si N+   500 500 500 500
GaAs buffer     280 460 250 240
S.I. Substrát     Nedot. Nedot. Nedot. Nedot.
             
Složení ternáru x=     1 1 1 1
             
N 1,00E+17     1,00E+17 1,00E+17 1,00E+17
N+ 1,00E+18     5,00E+18 5,00E+18 5,00E+18
             
PL - QW 4 K :          
  300 K :   Y ? ? NO
             
Hladiny pod vrcholem            





Změřené charakteristiky vzorků RTD (MBE) zde


Vlastnosti vzorků HEMT (MBE) zde


Fotodokumentace vzorků  zde