Elektronový rastrovací mikroskop + Elektronová litografie


e_ Li NE

e lectron-beam_ Li thography & N ano E ngineering




Výrobce:
Raith GmbH,    Hauert 18, Technologiepark, Dortmund, BRD



e_LiNE
Zařízení Raith "e_LiNe"

 

Přidržením kurzoru na ploše obrázku se zobrazí jeho popis.



Zobrazení vzorků pomocí SEM:

Snímky diamantových zárodků:
vlevo: na křemíkové podložce,
vpravo: na skleněné podložce (zvětšení 100k_x):
diamantové zárodky připravené na křemíkové podložce (zvětšení 100k_x)     diamantové zárodky připravené na skleněné podložce (zvětšení 100k_x)



Elektronová litografie:

vlevo: test rozlišení na rezistové struktuře (zvětšení 37k_x),
vpravo: kontrola přesnosti sesazení (zvětšení 5,6k_x):
test rozlišení na rezistové struktuře (zvětšení 37k_x)     kontrola přesnosti sesazení nové úrovně na předem vytvořený motiv (vernier po 10nm) - dosažená přesnost do 10nm (zvětšení 5,6k_x)
Vlevo: test čárových struktur v rezistu (zvětšení 55k_x),
vpravo: matice kruhových zárodků v rezistu (zvětšení 27k_x):
test čárových struktur v rezistu (zvětšení 55k_x)     matice kruhových zárodků v rezistu (zvětšení 27k_x)
Vlevo: struktura tranzistoru HEMT v rezistu (zvětšení 4,9k_x),
vpravo: usazení hradlové elektrody do kanálu HEMT (zvětšení 22k_x).
struktura tranzistoru HEMT v rezistu (zvětšení 4,9k_x)     usazení hradlové elektrody do kanálu tranzistorové struktury zobrazené na předchozím snímku (zvětšení 22k_x)

EBID
(Electron-Beam Induced Deposition,
"e-beam enhanced CVD"):
Struktury vytvořené metodou EBID z Pt na povrchu vzorků: vlevo: 2 kontaktní plošky a tenké přívody od nich ke zkoumanému objektu (zvětšení 20k_x),
vpravo: importovaný grafický obrazec - délka strany jednoho pixelu je ~40nm, tloušťka Pt vrstvy 50-100nm, zvětšení 18k_x).
2 obdélníkové expandované kontaktní plošky a tenké přívody od nich k vybranému objektu vytvořené z platiny metodou EBID (zvětšení 20k_x)     importovaný grafický obrazec vytvořený na vzorku pomocí EBID - délka strany jednoho pixelu je ~40nm, tloušťka Pt vrstvy 50-100nm, zvětšení 18k_x

Nanomanipulátory:
Precizní pohyb hrotu nanomanipulátoru:
vlevo: hrot nastaven do těsné blízkosti Pt nanotyčinky,
vpravo: hrot jemně přesunut tak, aby nanotyčinku ohýbal (zvětšení 20k_x):
hrot nanomanipulátoru ustaven do polohy v těsné blízkosti platinové nanotyčinky (s pravoúhlým ohybem) předem připravené na substrátu GaAs metodou EBID (zvětšení 20k_x)     hrot nanomanipulátoru precizně přesunut do polohy, ve které jemně ohýbá platinovou nanotyčinku - viz předchozí snímek (zvětšení 20k_x)

Aktualizace: 14.10.2006